代天军，男，工学博士，副教授/硕士生导师，于2019年6月在电子科技大学、电子薄膜与集成器件国家重点实验室获得博士学位，专业为微电子学与固体电子学；2011年6月-2013年6月之间曾在清华大学微电子研究所学习和科研；2020年1月入职太阳成集团tyc122cc，从事教学与科研工作，承担课程：DSP技术与应用，单片机原理与应用；2021年被评为“市级产业人才”；2022年被学校评选为“中青年学术骨干”。曾参研过国家973项目、国家自然科学基金面上项目等多项国家科研项目,现主持在研项目4项，参研项目3项；近年来在Journal of Alloys and Compounds，Nanophotonics，Journal of Materials Science，IEEE Electron Device Letters，Energy Science & Engineering等国内外知名期刊上发表论文16篇，其中以第一作者身份发表SCI论文7篇，EI论文2篇。

研究方向：

1， 晶圆级二维半导体薄膜制备及器件应用研究；

2， 集成电路设计与半导体器件研究；

3， 储能器件研究。

主持在研项目：

1，国家自然科学基金项目1项，“晶圆级二维WSe2/MoSe2异质结薄膜可控制备及其超快光电器件研究”，项目号：62264001，33万元，主持；

2，贵州省基础研究计划项目1项，项目号：黔科合基础-ZK[2022]一般009，10万元，主持；

3，贵州省教育厅青年科技人才成长项目1项，项目号：黔教合KY字[2020]089，3万元，主持；

  4，高层次人才引进项目1项，30万元，主持。

已发表部分论文：

1. T.J. Dai, et al. Synthesis of Few-Layer 2H-MoSe2 Thin Films with Wafer-level Homogeneity for High-Performance Photodetector [J], Nanophotonics, 2018, 7: 1959-1969. （SCI）

2. T.J. Dai, et al. Characterization of Molybdenum Oxide Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition [J]. Journal of Electronic Materials, 2018, 47: 6709-6715.（SCI）

3. T.J. Dai, et al. Layer-controlled synthesis of wafer-scale MoSe2 nanosheets for photodetector arrays [J]. Journal of Materials Science, 2018, 53: 8436-8444.（SCI）

4. T.J. Dai, et al. High performance photodetectors constructed on atomically thin few-layer MoSe2 synthesized using atomic layer deposition and a chemical vapor deposition chamber [J], Journal of Alloys and Compounds, 2019, 785: 951-957. （SCI）

5. T.J. Dai, et al. Two-Dimensional MoSe2/Graphene Heterostructure Thin Film with Wafer-Scale continuity via Van der Waals Epitaxy [J], Chemical Physics Letters, 2020, 755: 137762. （SCI）

6. T.J. Dai, et al. In situ synthesis of heterogeneous NiSe2/MoSe2 nanocomposite for high‐efficiency electrocatalytic hydrogen evolution reaction [J], Energy Science & Engineering, 2022, 1-10. （SCI）

7. T.J. Dai, et al. MoO3-x-based Bipolar Switching ReRAM Fabricated by Atomic Layer Deposition. IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), 2017.（EI）

8. Y.X. Ren, T.J. Dai, et al. Fabrication of High-Gain Photodetector With Graphene–PbSe Heterostructure [J]. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40:48-50. （SCI）

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